达时可通过触摸显示电路上的触摸屏，进行直接设置，而在设计时，触摸显示电路的控制芯片采用模拟数据转换器ADS7843，ADS7843是一款连续近似记录(SAR)的AD转换器。可通过连结触摸屏X+触摸信号输入到AD转化器。同时打开Y+和Y-的驱动，然后数字化X+的电压，从而得到当前Y位置的测量结果；同理，也可得到X方向的坐标。
[0028]ADS7843是4线电阻触摸屏转换接口芯片。它是一款具有同步串行接口的12位取样模数转换器。在125KHz吞吐速率和2.7V电压下的功耗为750uW，而在关闭模式下的功耗仅为
0.5UWADS7843以其低功耗和高速率等特性，被广泛应用。ADS7843采用SS0P-16引脚封装形式。温度范围是-400C?+800C ADS7843具有两个辅助输入(1N3、1N4)，可设置为8位或12位模式。该电路的工作电压在2.7?5.25V之间。基准电压vref介于IV?+Vcc。该电路的基准电压确定了转换器的输入范围，输出数据中每个数字位代表的模拟电压等于基准电压除以4096 ο
[0029]采用大型可编程逻辑技术与嵌入式微处理技术相结合的设计方式而设计的智能检测系统，利用具有高速硬件并行算法和高工作频率的逻辑电路处理器内部构建的硬件数据处理电路对各种检测数据进行加载处理，并采用嵌入式芯片电路做微控制处理，完成配电变压器的各种待检测数据的检测；由于触摸屏的应用，可对所需检测参数进行直接设置及指令下达，从而可不必携带鼠键套，减少使用者的体力支出，并且由于采用触摸屏技术，可使得整个智能检测系统向小型化设计靠拢，便于携带，整个智能检测终端具有成本低廉、运行稳定、处理速度快捷等优点。
[0030]实施例2:
[0031]本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，能有效利用可再生能源，降低不可再生能源的损耗，如图1、2所示，特别设置成下述结构:所述电源电路包括太阳能电池板、控制器及供电电路，所述太阳能电池板连接控制器，所述供电电路分别连接控制器、逻辑电路处理器、单片机及触摸显示电路，所述电源电路采用太阳能进行供电，太阳能电池板将太阳能转换为电能并经控制器内的稳压电路稳压为逻辑电路处理器、单片机及触摸显示电路所需要的工作电压并经供电电路供电给逻辑电路处理器、单片机及触摸显示电路，使其正常工作。
[0032]实施例3:
[0033]本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，为更好的实现本发明，进一步的，能够使太阳能所发的富足电量被存储，便于夜间或日照强度不够的天气依然能进行正常测试，如图1、2所示，特别设置有下述结构:所述电源电路内还设置有蓄电池，所述蓄电池连接控制器，蓄电池将富裕电能存储，当需要使用蓄电池内的电能时，蓄电池进行放电并经控制器内用于蓄电池释电的专用通道进行释电及稳压，经稳压为逻辑电路处理器、单片机及触摸显示电路所能够使用的电压值后供给逻辑电路处理器、单片机及触摸显示电路，以备其在光照强度不够的天气或黑夜中可以继续工作。
[0034]实施例4:
[0035]本实施例是在实施例1的基础上进一步优化，为更好的实现本发明，进一步的，能使存储器有效灵活的进行存储，如图1所示，特别设置下述结构:所述存储器内设置有FLASH存储器和随机存储器，所述FLASH存储器和随机存储器皆连接逻辑电路处理器，外扩的FLASH存储器采用SPR4096A，主要用来存储智能采集设备所需备份数据信息。SPR4096AFLASH具有如下特征:512K X 8位的存储空间；内嵌4K X 8位的SRAM ；外部CPU可以通过串行接口或8位并行接口来访问Flash/SRAM; I/O接口的电压范围为2.25?3.6V，并支持stand by的省电模式。可以大大降低系统的成本。在使用时，数据处理过程中，逻辑电路处理器结合随机存储器和FLASH存储器可有效完成数据交换，以达到良好的数据处理效果。
[0036]实施例5:
[0037]本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，特别采用下述设置方式:所述随机存储器采用静态随机存储器和/或动态随机存储器，静态存储器(SRAM)的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大，在本发明中作高速缓冲存储器(Cache)使用。DRAM是动态随机存储器(DynamicRandom Access Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“I”和“O”，在本发明中作为主存储器使用。
[0038]实施例6:
[0039]本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，进一步的，为更好的实现本发明，能有效的利用成熟的嵌入式处理技术进行整个终端设备的构架，特别采用下述设置方式:所述单片机采用TMS470MF04207。
[0040]TMS470MF04207是一款包括32位RISCCPU内核，具有高达448K字节的程序内存，具有(SECDED ECC)的64K字节闪存(用于获得额外的程序空间或进行EEPROM仿真)，高达24K字节的静态RAM(SRAM)，带实时中断定时器(RTI)、矢量中断模块(VIM)、硬件内置自测试(BIST)校验器，用于SRAM(MBIST)和CPU(LBIST)、64位循环冗余校验器(CRC)、基于调频零引脚锁相环(FMzPLL)的时钟模块(带前置分频器)、两个多缓冲串行外设接口(MibSPI)、两个具有本地互连网络接□ (LIN)的UART(SCI)、两个CAN控制器(DCAN)、高端定时器(HET)、外部时钟前置分频(ECP)模块、一个16通道10位多缓冲ADC(MibADC)、错误信令模块(ESM)、4个专用的通用VO(G1)引脚和45个附加外设1/0(100引脚封装)的ARM处理器，能够高效、快速、精准、大规模的处理及得信息，并支持通信协议传输数据。
[0041 ] TMS470MF04207内存包括通用SRAM，可支持字节模式、半字模式及字模式的单周期读/写存取。可以利用ECC对TMS470M器件上的SRAM加以保护。此项特性运用单错纠正和双错检测电路(SECDED电路)来检测并选择性地校正单位错误以及检测所有的双位错误和某些多位错误。这是通过将一个用于内存空间的每个64位双字的8位ECC校验和/代码保存在一个单独的ECC RAM内存空间中实现的。
[0042]该器件上的闪存是一种非易失性、电可擦且可编程的存储器。它是采用一个144位宽的数据字(128位，无ECC)和一个64位宽的闪存模块接口实现的。该闪存在高达28MHz的系统时钟频率条件下运行。可提供闪存数据线性预读取的流水线模式实现了一个高达80MHz的系统时钟。
[0043]TMS470MF04207器件上的增强型实时中断(RTI)模块可选择由振荡器时钟进行驱动。数字安全装置(DWD)是一个25位的可复位递减计数器，当安全装置计数器终止计数时，该计数器将提供系统复位。
[0044]TMS470MF04207器件具有6个通信接口:两个LIN/SC1、两个DCAN和两个MibSP1LIN是本地互连网络标准，而且还支持一种SCI模式。SCI可被用在一个用于CPU与其他采用标准不归零制(NRZ)格式外设之间的异步通信的全双工、串行I/O接口中。DCAN采用一种串行、多主机通信协议，此协议可高效支持分布式实时控制及高达I兆位每秒(Mbps)的稳健通信速率。DCAN非常适合于工作于嘈杂和严酷环境中的应用(例如:汽车和工业领域)，此类应用需要可靠的串行通信或多路复用线路。MibSPI为相似的移位寄存器型器件之间的高速通信提供了一种便捷的串行交互方法。MibSPI提供了标准的SOM1、SM0和SPI时钟接口以及多达8条芯片选择线路。
[0045]HE