一种硫化亚锡和硫化铟薄膜太阳能电池及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及新能源领域，具体涉及一种硫化亚锡和硫化铟薄膜太阳能电池及其制备方法。
【背景技术】
[0002]硫化亚锡作为一种原料丰富、安全无毒、价格便宜的新型材料，具有巨大的潜在应用前景，一直是科研工作者的研究热点。其光学直接带隙和间接带隙分别为1.2?1.5eV和1.0~l.leV，与太阳辐射中的可见光有很好的光谱匹配，非常适合用做太阳能电池的光吸收材料，也是一种非常有潜力的太阳能电池材料。硫化铟(In2S3)是一种II1-VI族化合物半导体，具有特殊的光电、光致发光等性能，在燃料电池、电化学传感器以及光电功能材料等领域具有很大的潜在应用价值。研究表明，In2S3在不同热处理温度下会呈现三种不同的晶体类型:(1) 693K，a—In2S3;(2) 1027Κ,β—In2S3 ； (3) 1027Κ 以上，γ —In2S3t3通常 β—硫化铟(β—In2S3 )是室温下的稳定结构，并且其禁带宽度为2?2.45eV，未掺杂情况下一般呈N型，可以作为铜铟硫、铜铟砸和铜铟镓砸薄膜太阳电池的缓冲层和窗口层。由于β—In2S3具有较大的禁带宽度，对可见光波段的吸收较小，生长过程中需要的温度较低，不会对先前沉积的薄膜层造成破坏，并且无毒性，可能用来替代有毒的硫化镉作为太阳能电池窗口层材料。二硫化钼，禁带宽度约为1.87ev，在硫化亚锡和硫化铟构成的PN结太阳能电池中，可以起到很好的缓冲的作用，因此适合用来作缓冲层材料。
[0003]通常有机太阳能电池使用的电极材料是掺锡的氧化铟(ITO)，然而，由于ITO成本高、易碎等问题激发了人们对柔性、低成本导电材料的开发兴趣。因此，研究低成本、制备工艺相对简单能够替代ITO薄膜的透明导电薄膜就显得非常必要。而金属纳米线具有成本低、易制备、可实现柔性化大规模生产等优点，因而符合人们的需求。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于，提供一种硫化亚锡和硫化铟薄膜太阳能电池及其制备方法，以实现制备工艺简单，原材料无毒环保，衬底选择范围广，又能极大地提高太阳能电池的光电转换效率。
[0005]为了达到上述目的，本发明技术方案是这样实现的:
一种硫化亚锡和硫化铟薄膜太阳能电池，其结构从下至上依次为:基底、金属纳米线、N型β—硫化铟窗口层、二硫化钼缓冲层、P型硫化亚锡吸收层、金属电极，该结构的优点是，首先，充分利用硫化亚锡、二硫化钼和β—硫化铟禁带宽度的特点，分别将其用作太阳能电池的吸收层、缓冲层和窗口层，有利于充分吸收太阳光;其次，利用硫化亚锡、二硫化钼和β—硫化铟都属硫化物的特点，减少它们之间的晶格失配，从而减少缺陷态密度，降低光生载流子的复合，有利于载流子的传输;最后，利用金属纳米线来代替传统的导电薄膜，大大减小膜层电阻，有利于载流子的横向收集，提高太阳能电池的光电转换效率。
[0006]本发明技术方案所提供的一种硫化亚锡和硫化铟薄膜太阳能电池的制备方法包括如下步骤:
取一块干净的基底，利用直流电化学沉积法在基底上制备金属纳米线，然后利用真空蒸发法或超声喷雾法或磁控溅射法或化学浴法在金属纳米线上制备N型β—硫化铟，在N型β—硫化铟上利用双源蒸发法或脉冲电沉积法或化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜，在二硫化钼薄膜上利用超声喷雾法或真空蒸发法或化学浴沉积法制备P型硫化亚锡薄膜，最后在硫化亚锡薄膜上丝网印刷金属电极。
【附图说明】
[0007]附图1是本发明提供的一种硫化亚锡和硫化铟薄膜太阳能电池的层结构示意图。
[0008]附图1标号说明:
1—基底；
2—金属纳米线；
3—N型β—硫化铜窗口层；
4 一二硫化钼缓冲层；
5—P型硫化亚锡吸收层；
6一金属电极。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图1和具体实施例对本发明作进一步说明，但本
【发明内容】
不仅限于实施例中涉及的内容。
[0010]本发明按附图1所示结构，它包括从下至上依次分布的基底1、金属纳米线2、Ν型β—硫化铟窗口层3、二硫化钼缓冲层4、Ρ型硫化亚锡吸收层5、金属电极6。
[0011]实施例一:
首先，利用直流电化学沉积法在玻璃基底上沉积铜纳米线，电解液由硫酸铜(CuSO4)(90g/L)和硼酸(H3BO3) (45g/L)的水溶液组成，再加入IM的硫酸(H2SO4)溶液调节pH值为PH=2.5。电沉积条件为:外加直流电压0.2V，沉积温度为25°C(室温)，沉积时间为90分钟;第二，采用磁控溅射预制铟(In)薄膜和硫化热处理工艺在铜金属纳米线上沉积β — In2S3薄膜。溅射功率为120W，硫化热处理温度为450°C，溅射气体压强在0.5Pa，溅射时间是6min;第三，在真空环境中，以钼金属颗粒和硫粉末为原料，利用双源蒸发法在β—In2S3薄膜上沉积二硫化钼(MoS2)薄膜，通过调节钼金属蒸发的电子束流大小、硫粉末蒸发的温度以及生长时间使原子和原子的含量之比为1:2，钼(Mo)原子和硫(S)原子在加热的β—I112S3薄膜上反应生成MoS2分子，获得层数可控的MoS2薄膜;第四，利用化学浴沉积在缓冲层MoS2上沉积P型硫化亚锡(SnS)薄膜，将氯化亚锡(SnCl2.2H20)溶解于适量的丙酮当中，然后加入体积比为50%的三乙醇胺溶液并搅拌使之均匀混合，待溶液中出现了白色絮状物时，给溶液中加入一定浓度的硫代乙酰胺溶液，并搅拌均匀。接着通过加入适量的氨水和氯化铵缓冲溶液来调节反应溶液的PH值。最后，用去离子水把溶液体积调节到200ml。将盛有反应溶液的烧杯置于85-2型恒温磁力搅拌器上，在室温下搅拌均匀，然后把沉积有二硫化钼薄膜的样品垂直插入反应溶液中进行SnS薄膜沉积，然后将SnS薄膜样品在250°C退火lh。最后，利用丝网印刷法在硫化亚锡薄膜上沉积金属铝(Al)电极。
[0012]实施例二:
首先，利用直流电化学沉积法在硅片基底上沉积银金属纳米线。电解液由硝酸银(AgNO3)(45g/L)和硼酸(H3BO3)(45g/L)的水溶液组成，再加入IM的硝酸(HNO3)溶液调节PH值为PH=2.3。电沉积条件为:外加直流电压0.2V，沉积温度为25°C (室温)，沉积时间为30分钟;第二，利用超声喷雾法在银金属纳米线上沉积N型β—In2S3薄膜，采用氯化铟(InCh.4H20)和硫脲作为铟(In)源和硫(S)源，按In/S摩尔浓度比1:5配制50ml溶液，取In离子的摩尔浓度为60mmol/L，通过压电陶瓷晶片雾化器将配制的溶液雾化，雾化速率为100ml/h，高纯氮气流量控5L/min，生长In2S3薄膜30min，生长温度控制在310°C，生长完成后继续通氮气作为保护气，在380°C下原位退火30min。