所示可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极B00、电极B10、电极B20、导电液体BO1、容腔B02、电阻层B03、电阻层B031、绝缘层B04构成；容腔B02由电阻层B03、电阻层B031、绝缘层B04配合构成；电极BOO介入容腔中央；电极BlO连接在电阻层B03外侧；电极B20连接在电阻层B031外侧；
如图11中d为本实施实例的简单等效电路图(以下简称11.d)；
11.d中RBl代表导电液体BOl运动所导致的电极B00、电极BlO之间的电阻变化的简单等效可变电阻；
11.d中RB2代表导电液体BOl运动所导致的电极B00、电极B20之间的简单等效可变电阻；
11.d中RBlO为电阻层B03在电极B00、电极BlO之间产生的等效固定阻值(无视导电液体);
11.d中Rg为接地电阻，VCC为电源，GND为地点，VB10、VB20为输出信号；
11.是一个简单等效电路，采用了最简的表述方式，并非完全等效电路。
[0077]实施实例12、如图12所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极C00、电极C10、电极C20、电极C30、导电液体CO 1、容腔C02、电阻层C03、绝缘体C04构成；容腔C02由电阻层C03和绝缘体C04构成；电极C10、电极C00、电极C30都同时与电阻层C03内侧、外侧相连，电极C20穿过绝缘体C04介入容腔C02内；导电液体COl装载在容腔C02内；导电液体体积COl小于容腔C02的有效容积。
[0078]实施实例13、如图13所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极D00、电极D10、电极D20、电极D30、导电液体DO1、容腔D02、电阻层D03、绝缘体D04构成；容腔D02由电阻层D03和绝缘体D04构成；电极D00、电极D10、电极D30与电阻层D03外侧相连；电极D20介入容腔D02 ;导电液体DOl装载在容腔D02内；导电液体体积DOl小于容腔D02的有效容积。
[0079]实施实例14、如图14所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极E00、电极E10、电极E20、电极E30、导电液体EO1、容腔E02、电阻层E03、绝缘体E04构成；容腔E02由电阻层E03构成；电极E00、电极E10、电极E30与电阻层E03外侧相连，电极E20与电阻层E03内、外侧相连；导电液体EOl装载在容腔E02内；导电液体体积EOl小于容腔E02的有效容积。
[0080]实施实例15、如图15所示，如图15所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极H)0、电极F10、电极F20、电极F30、导电液体FOl、容腔F02、电阻层F03构成；容腔H)2由电阻层F03构成；电极R)0、电极FlO、电极F20、电极F30与电阻层F03外侧相连；容腔F02为环状；导电液体FOl装载在容腔F02内；导电液体体积FOl小于容腔F02的有效容积。
[0081]实施实例16、如图16所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极GOO、电极G20、电极G30、导电液体GO1、容腔G02、电阻层G03、绝缘体G04构成；容腔G02由电阻层G03和绝缘体G04构成；电极G20、电极G00、电极G30都与电阻层C03外侧相连，电极G20穿透绝缘体G04介入容腔G02内，G20是异形电极；导电液体GOl装载在容腔G02内；导电液体体积GOl小于容腔G02的有效容积。
[0082]实施实例17、如图17所示的可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，由电极HOO、电极HlO、电极H20、H21、H22、电极H30、导电液体HO 1、容腔H02、电阻层H03、绝缘体H04构成；容腔H02主要由电阻层H03和绝缘体H04构成；电极H00、电极H10、电极H30与电阻层H03外侧相连；电极H20、H21、H22介入容腔H02与电阻层H03内侧相连；导电液体HOl装载在容腔H02内；导电液体体积HOl小于容腔H02的有效容积。
[0083]实施实例18、在实施实例2的基础上改进，增加I个电极、I个接地电阻、I个输出信号，将增加的电极连接到电阻层的外侧表面，增加的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的电极与输出信号相连。
[0084]实施实例19、在实施实例2的基础上改进，增加2个电极、2个接地电阻、2个输出信号，将增加的电极连接到电阻层的外侧表面，增加的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连。
[0085]实施实例20、在实施实例2的基础上改进，增加2个电极、I个接地电阻、I个输出信号，将I个增加的电极连接到电阻层的外侧表面，将I个增加的电极介入容腔内，将增加的与电阻层外侧相连的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连，将增加的介入容腔内的电极与电源VCC相连。
[0086]实施实例21、在实施实例3的基础上改进，增加I个电极、I个接地电阻、I个输出信号，将增加的电极介入容腔内，将增加的电极连接到电阻层的内侧表面，将增加的电极与增加的接地电阻的非地端相连，增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连。
[0087]实施实例22、在实施实例3的基础上改进，增加2个电极、I个接地电阻、I个输出信号；将增加的电极介入容腔内；将增加的电极连接到电阻层的外侧表面，将增加的I个电极与增加的接地电阻的非地端相连，将增加的另I个连接到电源VCC ;将增加的信号输出与增加的接地电阻的非地端相连。
[0088]以上实施实例是本发明的可行方案，但不是对本发明的保护范围的限定，本发明所包含的技术方案虽多，这些各个方案的不同之处主要是电极与电阻层连接的分布上，本领域技术人员在理解本发明的核心内容后能够依照本发明的核心原理根据逻辑来推理他们的特征，故不赘述，本领域技术人员通过本发明所给的技术启示，结合‘公知常识’、"E见有技术’进行的可正常、良性运行的实施设计均应算作本发明的范畴。
【主权项】
1.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由2个电极、导电液体、容腔、I个电阻层构成；容腔与电阻层共界面；I个电极介入容腔内；介入容腔内的电极不与电阻层相连；1个电极与电阻层的外侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体总是与容腔内电极相接触；导电液体总是与电阻层内侧相接触；导电液体体积小于容腔有效容积。2.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由导电液体、容腔、I个电阻层、至少3个电极构成；至少I个电极介入容腔内；至少I个介入容腔的电极不与电阻层相连；容腔与电阻层共界面；电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。3.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少I个电阻层构成；容腔与至少I个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的内侧相连；至少I个与容腔共界面的电阻层的内侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。4.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少I个电阻层构成；容腔与至少I个电阻层共界面；至少有I个与容腔共界面的电阻层的内侧、外侧分别与至少I个、至少I个电极相连；至少2个分别连接在同一电阻层内、外侧的电极不与所连电阻层上电极自身所连侧的对立侧相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。5.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由至少2个电极、导电液体、容腔、至少I个电阻层构成；容腔与至少I个电阻层共界面；所有电极均和同一或非同一与容腔共界面的电阻层的外侧相连；至少有I个与容腔共界面的电阻层的外侧与至少2个电极相连；导电液体装载在容腔内；导电液体能够接触到电阻层内侧；导电液体体积小于容腔有效容积。6.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:在技术内容1-5中选择多种姿态传感器使它们的容腔相通或者合并它们的容腔；新容腔内导电液体的体积小于新容腔的有效容积。7.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，其特征在于:主要由任选技术内容1-6所述的I个姿态传感器、至少I个接地电阻器构成；每个接地电阻器的非接地端与姿态传感器的I个电极相连。8.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器集群，其特征在于:主要由在技术内容1-7所述的姿态传感器中单选或多选种类地至少2个姿态传感器构成、至少I条导线构成；至少I个姿态传感器的至少I个电极与其他姿态传感器至少I个电极共连同一导电线；至少2个姿态传感器都至少有I个电极不与自身所在姿态传感器的其他电极共连同一导电线。9.可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器或其集群的应用，其特征在于:选取技术内容1-8的姿态传感器或其集群将电极合理的连接在应用电路上。
【专利摘要】可用于人工智能设备姿态感应的姿态传感器，主要由电极(600、610、620、630)、导电液体(601)、容腔(602)、电阻层(603)构成。所述姿态传感器的集群。所述姿态传感器或集群的电极合理的连接在应用电路上。本发明在电学原理上等同于由导电液体调控阻值的电阻或电阻群，主要利用姿态传感器姿态改变时导电液体的流动改变电极与电极之间电阻率的分布来表达姿态数据。本发明的有益效果：本发明结构简单、寿命长，可用于人工智能设备作为姿态感知装置。
【IPC分类】G01C9/20, G01C9/06
【公开号】CN105674958
【申请号】
【发明人】刘伟
【申请人】刘伟
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2014年11月18日