生的）划痕。外部损伤的深度由最大值(m a X)和最小 值(min)表达。下面将描述外部损伤的深度的测量结果。
[0052]〈连接器(A)>
[0053] 当导体4插入到连接器(A)中时外部损伤的深度(在位于导体4的外表面中的铜包 覆7中可能产生的损伤的深度)最大值是55μπι并且最小值为35μπι。因此理解为铜包覆7的厚 度必须至少为35μηι。
[0054] 〈连接器(Β)>
[0055] 当导体4插入到连接器(Β)中时外部损伤的深度最大值75μπι并且最小值是48μπι。因 此理解为铜包覆7的厚度必须至少为48μπι。
[0056] 〈连接器(C)>
[0057] 当导体4插入到连接器(C)中时外部损伤的深度最大值是63μπι并且最小值是35μπι。 因此理解为铜包覆7的厚度必须至少为35μπι。
[0058] 〈连接器(D)>
[0059] 当导体4插入到连接器(D)中时外部损伤的深度最大值是73μπι并且最小值是43μπι。 因此理解为铜包覆7的厚度必须至少为43μπι。
[0060] 〈连接器(Ε)>
[0061] 当导体4插入到连接器(Ε)中时外部损伤的深度最大值是70μπι并且最小值是43μπι。 因此理解为铜包覆7的厚度必须至少为43μπι。
[0062] 〈连接器(F)>
[0063] 当导体4插入到连接器(F)中时外部损伤的深度最大值是38μπι并且最小值是28μπι。 因此理解为铜包覆7的厚度必须至少为28μπι。
[0064] 〈连接器(G)>
[0065] 当导体4插入到连接器(G)中时外部损伤的深度最大值是85μπι并且最小值是25μπι。 因此理解为铜包覆7的厚度必须至少为25μπι。
[0066] 〈连接器(Η)>
[0067] 当导体4插入到连接器(Η)中时外部损伤的深度最大值是83μπι并且最小值是48μπι。 因此理解为铜包覆7的厚度必须至少为48μπι。
[0068] 如上所述，在最小值(min)的基础上考虑外部损伤的深度，可以这样说，即使产生 外部损伤，为了防止铜包覆7内部的铝单线6被露出，优选的是铜包覆的厚度设定为至少50μ m。另一方面，更确定地，在最大值(max)的基础上考虑外部损伤的深度，可以这样说，优选地 将铜包覆7的厚度设定为至少86μπι或包括裕度的至少90μπι。
[0069] 另外，当考虑重量减少和经济效率时，可以说优选的是将铜包覆7的厚度设定为不 大于200μπι。顺便地，此处，导体4的直径设定为2.0mm，并且铜包覆7的厚度设定为50μπι至200 μπι。因此，假设这能够理解为铜包覆7的厚度设定为导体4的直径的2.5%至10%。
[0070] 由铜制成的未示出的压接筒装接到根据实施例的每个VVF1的末端处的电连接部 8,并且在其上进行用于JIS C 2086的用于铜导体的非绝缘压接型套筒的热周期测试。获得 下列图表1中所示的结果。
[0071] 顺便地，在图表1中，在各个项目中示出在25周期(eye)和125周期(eye)处的结果。 具体地，在实例1至9的各个项目中示出带有压接筒(环形筒）的连接部的温度（°C)和距离外 部空气温度的温度升高值（°C)的结果。顺便地，在25周期时外部空气温度为20.8°C，并且在 125周期时为22.7°C。另外，在25周期和125周期两者处电流值均为26.0A。
[0072][表1]
[0073]
[0074]连接部的热周期测试结果
[0075]用于判断测验结果的标准是在25周期时升温值是否最多为50°C，以及在125周期 时的升温值相对于50周期时的连接部的温度是否为+8°C(顺便地，如从测验结果所了解的， 因为在任何结果中升温值都不对应于+8°C，所以在图表1中省略了 50周期时的温度）。
[0076]〈实例 1>
[0077]在实例1中，在25周期时的连接部的温度是67.0°C，并且在相同周期处的升温值为 46.2°C。另外，在125周期时连接部的温度是66.9°C，并且在相同周期处的升温值是44.2°C。 可以说实例1的测验结果是良好的。
[0078]〈实例 2>
[0079]在实例2中，在25周期时的连接部的温度是69.4°C，并且在相同周期处的升温值为 48.6°C。另外，在125周期时连接部的温度是68.8°C，并且在相同周期处的升温值是46.1°C。 可以说实例2的测验结果也是良好的。
[0080] 〈实例 3>
[0081] 在实例3中，在25周期时的连接部的温度是60.2°C，并且在相同周期处的升温值为 39.4°C。另外，在125周期时连接部的温度是62.4°C，并且在相同周期处的升温值是39.7°C。 可以说实例3的测验结果也是良好的。
[0082] 〈实例 4>
[0083]在实例4中，在25周期时的连接部的温度是59.8°C，并且在相同周期处的升温值为 39.0°C。另外，在125周期时连接部的温度是61.2°C，并且在相同周期处的升温值是38.5°C。 可以说实例4的测验结果也是良好的。
[0084]〈实例 5>
[0085]在实例5中，在25周期时的连接部的温度是62.7°C，并且在相同周期处的升温值为 41.9°C。另外，在125周期时连接部的温度是62.1°C，并且在相同周期处的升温值是39.4°C。 可以说实例5的测验结果也是良好的。
[0086]〈实例 6>
[0087]在实例6中，在25周期时的连接部的温度是65.4°C，并且在相同周期处的升温值为 44.6°C。另外，在125周期时连接部的温度是61.8°C，并且在相同周期处的升温值是39.1°C。 可以说实例6的测验结果也是良好的。
[0088]〈实例 7>
[0089]在实例7中，在25周期时的连接部的温度是58.3°C，并且在相同周期处的升温值为 37.5°C。另外，在125周期时连接部的温度是57.0°C，并且在相同周期处的升温值是34.3°C。 可以说实例7的测验结果也是良好的。
[0090]〈实例 8>
[0091]在实例8中，在25周期时的连接部的温度是63.1°C，并且在相同周期处的升温值为 42.3°C。另外，在125周期时连接部的温度是62.8°C，并且在相同周期处的升温值是40.1°C。 可以说实例8的测验结果也是良好的。
[0092]〈实例 9>
[0093]在实例9中，在25周期时的连接部的温度是62.0°C，并且在相同周期处的升温值为 41.2°C。另外，在125周期时连接部的温度是61.9°C，并且在相同周期处的升温值是39.2°C。 可以说实例9的测验结果也是良好的。
[0094] 如以上参考图1A至图2和图表1所述，在根据实施例的VVF 1中，将铜包覆7设置在 铝单线6周围的结构用作各个绝缘线芯2中的导体4的结构。因此，与【背景技术】中的铜导体相 比，存在能够实现电连接的效果。
[0095] 另外，在根据实施例的VVF 1中，包含铝单线6作为绝缘线芯2中导体4的结构。因 此，存在能够降低重量和成本的另一效果。使用铝和铜的各自的优点的导体结构用在VVF1 中。因此，可以说VVF1适用于室内布线。
[0096]当然能够在不改变本发明的主旨的情况下对本发明做出各种改变。即，本发明不 限于上述实施例，而是可以在其基础上做出合适的变形、改善等。另外，不限制上述实施例 中的构成元件的材料、形状、尺寸、数量、布置位置等，而是可以合意地选择，只要能够获得 本发明。
[0097]本发明基于2013年11月25日提交的日本专利申请（日本专利申请No. 2013-242477 )，其内容通过引用并入此处。
[0098]此处，将在下面各条中简要总结和列出根据本发明的扁平电缆的实施例的上述特 征。
[0099] [ 1 ]一种扁平电缆（乙烯基绝缘材料乙烯基护套电缆(VVF) 1)，包括护套(3)和多个 绝缘线芯(2)，每个绝缘线芯(2)都包括导体(4)和绝缘体(5)，所述绝缘线芯(2)并排布置并 且由所述护套(3) -次全部地覆盖，
[0100] 其中，所述导体(4)包括：由铝或铝合金制成的铝单线(6);以及铜包覆(7)，其由铜 或铜合金制成，并且围绕所述铝单线(6)设置。
[0101] [2]根据条目[1 ]所述的扁平电缆(乙烯基绝缘材料乙烯基护套电缆(VVF) 1)，
[0102] 其中，铜包覆(7)的厚度为50μπι至200μπι。
[0103] [3]根据条目[1 ]所述的扁平电缆(乙烯基绝缘材料乙烯基护套电缆(VVF) 1)，
[0104] 其中，铜包覆(7)的厚度是导体(4)的直径的2.5%至10%。
[0105] 工业实用性
[0106] 由于根据本发明的扁平电缆使用了利用铝和铜的各自的优点的导体结构，所以扁 平电缆适用于室内布线。
【主权项】
1. 一种扁平电缆，包括多个绝缘线芯，和护套，每个所述绝缘线芯都包括导体和绝缘 体，所述绝缘线芯并排布置并且由所述护套一次全部地覆盖， 其中，所述导体包括：由铝或铝合金制成的铝单线；以及铜包覆，其由铜或铜合金制成， 并且围绕所述铝单线设置。2. 根据权利要求1所述的扁平电缆，其中，所述铜包覆的厚度是50μπι至200μπι。3. 根据权利要求1所述的扁平电缆，其中，所述铜包覆的厚度是所述导体的直径的 2.5% 至 10%〇
【专利摘要】一种乙烯基绝缘的乙烯基护套电缆(VVH)(1)，包括绝缘线芯(2)，每个该绝缘线芯包括作为组成部分的导体(4)，该导体包括：由铝或铝合金制成的铝单线(6)，以及围绕铝单线(6)而设置的由铜或铜合金制成的铜包覆(7)。在VVF(1)中，当导体(4)根据其规格直径为2.0mm时，铜包覆(7)的厚度是50μm至200μm。
【IPC分类】H01B7/08
【公开号】CN105684100
【申请号】
【发明人】杉山真一, 近藤康顺, 长泽宪三, 铃木高广
【申请人】矢崎能源系统公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2014年11月25日