平带沉积气路装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种自加热超导薄膜沉积系统，具体的说是一种平带沉积气路装 置。
【背景技术】
[0002] 平带沉积气路设计装置主要是使用在自加热超导薄膜沉积系统上，超导薄膜是一 种电阻很小的材料。
[0003] 在化学气象沉积中（CVD)，气路是整套设备中所必须的重要部件，因为只有在保证 气体压力可控、密度均匀的前提下，才能满足薄膜的均匀。现有的气路设计一般是直接对准 样品进行出气，这种一路的设计很难在样品上保证很难的气体的均匀性，气路的设置不当， 会导致压力和流量产生波动，影响晶体生长质量。因此如何保证气体压力和流量的稳定，是 所有使用化学气象沉积中（CVD)设备用户必须着重考虑的问题。针对具体的工艺条件和使 用的实际情况，合理配置气路是保证设备高效使用的关键。
[0004] 气路的设计是保证化学气象沉积中（CVD)设备高效使用的关键，直接影响晶体生 长质量；现有气路设计出气孔直接对准样品，也没有气路缓冲和导流装置，使样品中心位置 (直接对准处理孔位置）一直处于一个高压区域（相对与周围气压），因此相对于样品中心 位置的薄膜要比两侧的薄膜要厚，沉积的薄膜不均匀，特别是导电材料，直接影响产品的质 量。 【实用新型内容】
[0005] 针对现有技术中自加热超导薄膜沉积系统平带沉积气路气氛不均匀而影响产品 质量等不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种保证气氛均匀的平带沉积气路装 置。
[0006] 为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
[0007] 本实用新型一种平带沉积气路装置，具有真空室及设于真空室内的托板，在真空 室截面上设置上隔板及下隔板将真空室分成上下三层，上部为进气混气层，中部为基带与 气体反应层，下部为抽气层，上隔板及下隔板上设有气孔，托板安装于气体反应层中。
[0008] 上隔板的气孔为多个，设于上隔板进气的一侧；下隔板的气孔为多个，设于下隔板 出气的一侧，由上隔板与托板之间安装一倾斜的导流板。
[0009] 所述气孔大小为.2~q) 1.6,孔与孔的距离为16 X 16mm~20 X 20mm，50~56排， 3列。
[0010] 导流板与基片垂线成40~50°夹角。
[0011] 导流板与基片垂线成45°夹角。
[0012] 本实用新型具有以下有益效果及优点：
[0013] 1.本实用新型可使气路中气体充分混合均匀，压力和流量稳定，保证工艺气体能 垂直流过基带的表面与基带充分接触，沉积的薄膜均匀，提高了产品质量。
[0014] 2.本实用新型结构简单，使用效果好，成本低。
【附图说明】
[0015] 图1为本实用新型结构示意图；
[0016] 图2为图1的A-A剖面视图；
[0017] 图3为图1的B-B剖面视图。
[0018] 其中，1为进气混气层，2为上隔板，3为导流板，4为基片，5为托板，6为气流，7为 下隔板，8为抽气层。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合说明书附图对本发明作进一步阐述。
[0020] 如图1所示，本实用新型平带沉积气路装置，具有真空室及设于真空室内的托板 5,在真空室截面上设置上隔板2及下隔板7将真空室分成上下三层，上部为进气混气层1， 中部为基带与气体反应层，下部为抽气层8,上隔板2及下隔板7上设有气孔，托板5安装于 气体反应层中。
[0021] 上隔板2的气孔为多个，设于上隔板2进气的一侧；下隔板7的气孔为多个，设于 下隔板7出气的一侧，由上隔板2与托板5之间安装一倾斜的导流板3。
[0022] 如图2、3所示，本实施例中，上隔板2及下隔板7的气孔根据气体流动方向上、下 错位设置，大小为q>l .2~(pi .6(最好为fl.4给出范围值），孔与孔的距离为16X 16mm~ 20X20mm(最好为18X 18mm)，50~56排（最好为54排），3列）；导流板3与基片垂线成 40°~50°夹角，本实施例采用45°夹角。
[0023] 真空室为圆筒型，尺寸(pl25X1000mm，在圆筒型真空室截面上、下距离正上方 内壁和正下方内壁各50mm的高度位置上焊接两层薄壁不锈钢板做为上隔板2和下隔板7， 将真空室由上至下分成进气混气层1，基带与气体反应层以及抽气层8。
[0024] 上隔板2及下隔板7为不锈钢薄壁板；托板5有用绝缘耐热的石英玻璃，用于托基 带（即平带）：平带长1000mm,宽18mm，厚0? 5mm ;运动速度：6m/60min〇
[0025] 为了保证从上隔板气孔出来的气氛与基带充分接触，在上层不锈钢薄壁隔断层 的一侧（相对于基带左侧）开有气孔（相对基带与气体反应层为进气孔），根据有限元 分析软件对气体流向的分析和实际的实验结果，孔的大小加工为伞孔与孔的距离为 18 X 18mm，54排，3列；为了保证气体的流向和缓冲，在上隔板2下方，安装一个倾斜的导流 板3,且导流板与基片的垂线成40~50°夹角，最好为45度夹角，导流板子使气氛完全与 基带接触反应（否则会被抽气口直接抽走，而不与基带接触）；在下隔板7 (相对于基带右 侦D开有气孔（相对基带与气体反应层为出气孔），同样，根据有限元分析软件对气体流向 的分析和实际的实验结果，孔的大小加工为 91.4，孔与孔的距离为18 X 18_，54排，3列；气 体在进气混气层1内经过充分混合均匀后，从上隔板气孔进入基带与气体反应层，在导流 板3的导引下，经基带一侧通过基带，与基带充分反应后，从基带另一侧经过下隔板气孔进 入抽气层8,被真空机组抽走。
[0026] 本实用新型通过进气混气层1、基带与气体反应层、以及抽气层8的多孔结构控制 工艺气体的流向，保证工艺气体能垂直流过基带的表面，每一米长的保证膜均匀性保证在5%〇
【主权项】
1. 一种平带沉积气路装置，具有真空室及设于真空室内的托板，其特征在于：在真空 室截面上设置上隔板及下隔板将真空室分成上下三层，上部为进气混气层，中部为基带与 气体反应层，下部为抽气层，上隔板及下隔板上设有气孔，托板安装于气体反应层中。2. 按权利要求1所述的平带沉积气路装置，其特征在于：上隔板的气孔为多个，设于上 隔板进气的一侧；下隔板的气孔为多个，设于下隔板出气的一侧，由上隔板与托板之间安装 一倾斜的导流板。3. 按权利要求2所述的平带沉积气路装置，其特征在于：所述气孔大小为φ? .2~φ? .6， 孔与孔的距离为16 X 16mm~20 X 20mm，50~56排，3列。4. 按权利要求2所述的平带沉积气路装置，其特征在于：导流板与基片垂线成40~ 50°夹角。5. 按权利要求4所述的平带沉积气路装置，其特征在于：导流板与基片垂线成45°夹 角。
【专利摘要】本实用新型涉及一种平带沉积气路装置，具有真空室及设于真空室内的托板，在真空室截面上设置上隔板及下隔板将真空室分成上下三层，上部为进气混气层，中部为基带与气体反应层，下部为抽气层，上隔板及下隔板上设有气孔，托板安装于气体反应层中。本实用新型可使气路中气体充分混合均匀，压力和流量稳定，保证工艺气体能垂直流过基带的表面与基带充分接触，沉积的薄膜均匀，提高了产品质量。
【IPC分类】C23C16/455
【公开号】CN204779799
【申请号】CN201520493170
【发明人】慈连鳌
【申请人】沈阳腾鳌真空技术有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月9日