一种多晶硅原料破碎设备的制造方法

文档序号:10253755阅读:486来源:国知局
一种多晶硅原料破碎设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及多晶硅破碎器具技术领域,更具体地说,涉及一种多晶硅原料破碎设备。
【背景技术】
[0002]多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显;在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
[0003 ]目前国内的大多数多晶硅生产企业,对多晶硅的破碎大多采用人工破碎的方法,也就是使用人工由锤子、重物对多晶硅棒进行敲击破碎。以年产5000吨多晶硅棒的企业为例,每天要用100多位工人不间断地敲打使多晶硅破碎。工人的劳动强度极大,而且工作效率低,且在非密闭环境中的破碎容易造成粉尘飞舞,也容易造成二次污染。这种原始的操作方法限制了多晶硅深加工的效率和发展,已经成为限制了企业发展的主要瓶颈。还有一种破碎方法是进行加热破碎,把多晶硅加热到600°C后,迅速放置冷水内,在热胀冷缩的作用下进行内裂破碎,但是多晶硅加热过程中可能会带来氧化、杂质扩散等降低多晶硅纯度的不利后果。
[0004]针对人工破碎多晶硅的不足之处,现有技术中已提出改进方案,例如专利公开号:CN 102319594 A,公开日:2012年I月18日,发明创造名称为:多晶硅破碎装置,该申请案公开了一种多晶硅破碎装置,涉及一种多晶硅破碎器具,在物料箱的任意一侧中部设有立柱,旋转轴活动插接在立柱上部,导轨的一端与旋转轴的上端固定连接或导轨的一端与立柱的上端活动连接形成导轨的水平旋转结构,滑动机构与导轨滑动配合,在滑动机构的下部设有连接冲击气缸的弹性体,在冲击气缸的下端设有冲击头,形成冲击头与物料箱内的多晶硅多工位对应结构;该申请案利用设置在导轨上的拉伸弹簧灵活控制冲击气缸冲击头构成的硅棒击打结构设置,有效克服了手工破碎成本高、效率底、不安全等缺陷,实现了机械化破碎的目的。但是,该申请案还存在以下难以克服的不足之处:(I)采用该申请案中硅棒击打结构对多晶硅进行击打破碎,会像手工击打破碎一样产生大量的微粉,且由于硅棒击打结构的击打力度较大,其产生的微粉量明显增多,降低了多晶硅破碎后的收得率,严重影响多晶硅的品质;同时,微粉会形成粉尘,污染环境,粒径在150微米以下的微粉,分布在空气中易燃易爆,生产安全性降低;(2)采用该申请案的多晶硅破碎装置破碎多晶硅,破碎后的多晶硅碎块大小不一,无法对破碎后多晶硅碎块的粒径进行控制,即无法得到期望大小的多晶硅碎块,难以满足后续的使用需求。【实用新型内容】
[0005]1.实用新型要解决的技术问题
[0006]本实用新型的目的在于克服现有技术中的上述不足,提供了一种多晶硅原料破碎设备,主要解决了击打破碎单晶硅的方式易产生大量微粉的问题。
[0007]2.技术方案
[0008]为达到上述目的,本实用新型提供的技术方案为:
[0009]本实用新型的多晶硅原料破碎设备,包括护罩、支架、偏心轴、破碎动块、破碎定块和限位机构,所述支架上安装有护罩,护罩的内部下侧固定有破碎定块,所述破碎动块正对破碎定块设置,破碎动块的下端铰接在限位机构上,破碎动块的上端安装有偏心轴,该偏心轴用于带动破碎动块上端以破碎动块下端为圆心做左右摆动。
[0010]作为本实用新型更进一步的改进,破碎动块上端左右摆动的行程为100?200mm。
[0011]作为本实用新型更进一步的改进,所述破碎动块前后两侧的支架上端面上均设有一排横向布置的螺纹孔,所述限位机构通过螺栓固定在上述螺纹孔上。
[0012]作为本实用新型更进一步的改进,还包括动力机构,该动力机构包括电机、主动轮、传动轮和连轴,所述电机的输出轴与主动轮的转轴固连,传动轮通过皮带与主动轮相连,传动轮的转轴与连轴固连,连轴伸入护罩内部并与偏心轴固连。
[0013]作为本实用新型更进一步的改进,所述破碎动块正对破碎定块的外表面上、破碎定块正对破碎动块的外表面上均设有一层8?I Omm厚的妈钼合金板。
[0014]作为本实用新型更进一步的改进,所述护罩的上部设有进料口,该进料口倾斜向下延伸至破碎动块上端和破碎定块上端之间间隙的上方。
[0015]作为本实用新型更进一步的改进,所述护罩的内部上侧固定有进料挡板,该进料挡板正对进料口所在的方向。
[0016]作为本实用新型更进一步的改进,所述破碎动块下端和破碎定块下端之间间隙的下方设有出料口,该出料口贯穿于支架的上端面。
[0017]作为本实用新型更进一步的改进,所述支架的上端面铺设一层2mm厚的不锈钢板材。
[0018]3.有益效果
[0019]采用本实用新型提供的技术方案,与现有技术相比,具有如下有益效果:
[0020](I)本实用新型中,通过电机为动力带动破碎动块上端以破碎动块下端为圆心做左右摆动,从而对多晶硅进行挤压破碎,克服了人工破碎的方法成本高、工作效率低、易造成二次污染等缺陷,有效地提高了生产效率,实现了机械化破碎的目的。
[0021](2)本实用新型中,通过挤压的方式进行多晶硅破碎,由于挤压的过程相较击打的过程能够使多晶硅受力更均匀、平缓,因此可以大幅度降低微粉的产生量,提高了多晶硅破碎后的收得率和品质,生产安全性较高。
[0022](3)本实用新型中,破碎动块重复挤压动作来破碎多晶硅,通过控制电机的转速来控制挤压频率,通过控制偏心轴的形状来控制破碎动块上端左右摆动的行程,避免过度挤压产生大量微粉造成浪费。
【附图说明】
[0023]图1为本实用新型的多晶硅原料破碎设备的俯视结构示意图;
[0024]图2为本实用新型的多晶娃原料破碎设备的后视结构不意图;
[0025]图3为本实用新型的多晶硅原料破碎设备的剖视结构示意图;
[0026]图4为本实用新型中限位机构与破碎动块相配合时的侧视结构示意图。
[0027]不意图中的标号说明:
[0028]1、电机;2、护罩;2-1、进料挡板;3、支架;4、主动轮;5、传动轮;6、连轴;7、偏心轴;
8、破碎动块;8-1、动块轴承;9、破碎定块;10、出料口; 11、进料口; 12、限位机构;12_1、限位基座;12-2、限位轴承;12-3、限位轴。
【具体实施方式】
[0029]为进一步了解本实用新型的内容,结合附图和实施例对本实用新型作详细描述。
[0030]实施例1
[0031 ]结合图1?4,本实施例的多晶硅原料破碎设备,包括护罩2、支架3、偏心轴7、破碎动块8、破碎定块9、限位机构12和动力机构,支架3上安装有护罩2,护罩2的内部下侧固定有破碎定块9,破碎动块8正对破碎定块9设置,破碎动块8的下端铰接在限位机构12上,破碎动块8的上端安装有偏心轴7,该偏心轴7用于带动破碎动块8上端以破碎动块8下端为圆心做左右摆动,破碎动块8上端左右摆动的行程控制为100?200mm,本实施例中取100mm。护罩2的上部设有进料口 11,该进料口 11倾斜向下延伸至破碎动块8上端和破碎定块9上端之间间隙的上方。破碎动块8下端和破碎定块9下端之间间隙的下方设有出料口 10,该出料口 10贯穿于支架3的上端面。
[0032]具体本实施例中,限位机构12包括限位基座12-1、限位轴承12-2和限位轴12-3,破碎动块8的
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