5的一端相接;并联的电容C4和电容C5的另一端接地，压转换芯片SX3600的OUT管脚分两路，一路与二极管Dl的阴极相接，另一路经电感L2与并联的电容C6和电容C2的一端相接;电感L2与并联的电容C6和电容C2的一端的连接端为DC/DC转换电路5的12V电源输出端，并联的电容C6和电容C2的另一端和二极管Dl的阴阳极均接地。
[0026]实际使用中，直流稳压源El为直流电压可调的直流稳压源，为直流过压抑制器提供可变得直流抑制保护限，采用电压耐压值高的电压转换芯片SX3600转换电路需要的12V电源，满足各种不同设备的直流过压限，调节方便，操作简单。
[0027]如图2所示，本实施例中，所述比较器4包括运放U2，所述运放U2的同相输入端分两路，一路与二极管D4的阴极相接，另一路经电阻R4接地;二极管D4的阳极经电阻Rl与瞬态抑制电路2的信号输出端相接，运放U2的反相输入端分两路，一路与稳压二极管D5的阴极相接，另一路经电阻R2与直流稳压源El的信号输出端相接，稳压二极管D5的阳极接地。
[0028]如图2所示，本实施例中，所述隔离电路6包括隔离芯片Ul，所述隔离芯片Ul的第I管脚经电阻R3与DC/DC转换电路5的12V电源输出端相接，隔离芯片U3的第2管脚与运放Ul的输出端相接，隔离芯片Ul的第4管脚与直流稳压源El的信号输出端相接。
[0029]如图2所示，本实施例中，所述MOSFET开关电路7包括MOSFET管Q1。
[0030]如图2所示，本实施例中，所述MOSFET管Ql为IRF530N，所述IRF530N的栅极与隔离芯片Ul的第3管脚相接。
[0031]如图2所示，本实施例中，还包括电压保持电路，所述电压保持电路由电容C3和稳压二极管D3组成，所述电容C3的一端和所述稳压二极管D3的阴极均与IRF530N的源极相接，电容C3的另一端和稳压二极管D3的阳极均接地。
[0032]本实用新型使用时，采用瞬态抑制电路2去除直流输入电压源I中干扰信号并有效抑制直流输入电压源I的尖峰电压，使输出稳定可靠的直流高电压，通过DC/DC转换电路5直接从瞬态抑制电路2去噪后的流高电压获取直流输入，将其转换为12V电源为比较器4和隔离电路6供电，瞬态抑制电路2输出为直流用电设备供电，当瞬态抑制电路2输出的直流电压处于正常范围内时，运放U2采集的直流电压小于直流基准电压源3的电压供电，运放U2输出低电位，隔离电路6导通，MOSFET开关电路7中的MOSFET管Ql导通，通过电容C3和稳压二极管D3组成的电压保持电路，直流输出电压跟随直流输入电压源的输入电压，直流电压正常输出；当直流输入电压源I输入的直流电压突然发生过压浪涌故障时，瞬态抑制电路2快速抑制尖峰电压采集过压电压，此时运放U2采集的直流电压数据大于直流基准电压源3的电压供电，运放U2输出高电位，隔离电路5中的光电隔离不通，MOSFET开关电路7中的MOSFET管Ql不通，导致MOSFET管Ql的漏极与源极之间电压增加，抑制了直流输出大电压且输出的直流电压被箝位，电压保持电路抑制输出电压再次瞬间变化，保护用电设备的安全输入电压，体积小，使用器件少，效果好。
[0033]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型作任何限制，凡是根据本实用新型技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围内。
【主权项】
1.一种直流过压浪涌抑制器，其特征在于:包括直流输入电压源(I)、直流基准电压源(3)、与所述直流输入电压源(I)输出端相接的瞬态抑制电路(2)和DC/DC转换电路(5)，以及与所述瞬态抑制电路(2)的输出端和所述直流基准电压源(3)的输出端均相接的过压浪涌抑制模块，所述过压浪涌抑制模块包括依次连接的比较器(4)、隔离电路(6)和MOSFET开关电路(7);所述比较器(4)的输入端分别与所述瞬态抑制电路(2)的输出端和所述直流基准电压源(3)的输出端相接，所述比较器(4)与所述DC/DC转换电路(5)相接且由DC/DC转换电路(5)供电，所述隔离电路(6)与DC/DC转换电路(5)和直流基准电压源(3)均相接;所述直流基准电压源(3)为直流稳压源El，所述瞬态抑制电路(2)包括电容Cl、电感LI和稳压二极管D2，所述电感LI的一端分两路，一路与直流输入电压源(I)的信号输出端相接，另一路经电容Cl接地;电感LI的另一端分两路，一路与稳压二极管D2的阴极相接，另一路为瞬态抑制电路(2)的信号输出端。2.按照权利要求1所述的一种直流过压浪涌抑制器，其特征在于:所述DC/DC转换电路(5)包括电压转换芯片SX3600，所述电压转换芯片SX3600的Vin管脚分两路，一路与瞬态抑制电路(2)的信号输出端相接，另一路与并联的电容C4和电容C5的一端相接;并联的电容C4和电容C5的另一端接地，压转换芯片SX3600的OUT管脚分两路，一路与二极管Dl的阴极相接，另一路经电感L2与并联的电容C6和电容C2的一端相接；电感L2与并联的电容C6和电容C2的一端的连接端为DC/DC转换电路(5)的12V电源输出端，并联的电容C6和电容C2的另一端和二极管Dl的阴阳极均接地。3.按照权利要求1所述的一种直流过压浪涌抑制器，其特征在于:所述比较器(4)包括运放U2，所述运放U2的同相输入端分两路，一路与二极管D4的阴极相接，另一路经电阻R4接地;二极管D4的阳极经电阻Rl与瞬态抑制电路(2)的信号输出端相接，运放U2的反相输入端分两路，一路与稳压二极管D5的阴极相接，另一路经电阻R2与直流稳压源El的信号输出端相接，稳压二极管D5的阳极接地。4.按照权利要求3所述的一种直流过压浪涌抑制器，其特征在于:所述隔离电路(6)包括隔离芯片Ul，所述隔离芯片Ul的第I管脚经电阻R3与DC/DC转换电路(5)的12V电源输出端相接，隔呙芯片U 3的第2管脚与运放UI的输出端相接，隔呙芯片UI的第4管脚与直流稳压源El的信号输出端相接。5.按照权利要求4所述的一种直流过压浪涌抑制器，其特征在于:所述MOSFET开关电路(7)包括 MOSFET 管 Ql。6.按照权利要求5所述的一种直流过压浪涌抑制器，其特征在于:所述MOSFET管Ql为IRF530N，所述IRF530N的栅极与隔离芯片Ul的第3管脚相接。7.按照权利要求6所述的一种直流过压浪涌抑制器，其特征在于:还包括电压保持电路，所述电压保持电路由电容C3和稳压二极管D3组成，所述电容C3的一端和所述稳压二极管D3的阴极均与IRF530N的源极相接，电容C3的另一端和稳压二极管D3的阳极均接地。
【专利摘要】本实用新型公开了一种直流过压浪涌抑制器，包括直流输入电压源、直流基准电压源、与直流输入电压源输出端相接的瞬态抑制电路和DC/DC转换电路，以及与瞬态抑制电路的输出端和直流基准电压源的输出端均相接的过压浪涌抑制模块，过压浪涌抑制模块包括依次连接的比较器、隔离电路和MOSFET开关电路；比较器的输入端分别与瞬态抑制电路的输出端和直流基准电压源的输出端相接，比较器与DC/DC转换电路相接且由DC/DC转换电路供电，隔离电路与DC/DC转换电路和直流基准电压源均相接；直流基准电压源为直流稳压源E1，本实用新型设计新颖，具有实时检测直流输入电压过压的功能，可抑制直流浪涌过压瞬间尖峰电压，实用性强。
【IPC分类】H02H9/04
【公开号】CN205178499
【申请号】CN201521052526
【发明人】何克勤
【申请人】西安森派电子技术有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月16日