一种mocvd反应腔室用的无相差转盘结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体设备制造技术领域，尤其是指一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构。
【背景技术】
[0002]业内习知，MOCVD设备是半导体制备的重要装备，由于半导体具有特殊的光电性能，广发地被用在1C、太阳能电池、大功率器件等领域，为保证半导体气相沉积的稳定性，需要MOCVD装备具有较强稳定性，托盘在半导体材料生产过程中扮演载体的角色，按照工艺设计速度进行旋转、停止是半导体生产重要的保障。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺点，提供一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，保证托盘能够无相差跟随金属驱动盘随动、随停。
[0004]为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案为:一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，包括有上下叠置的耐高温托盘和耐高温金属驱动盘，该耐高温托盘的底面与耐高温金属驱动盘的顶面贴合;所述耐高温托盘和耐高温金属驱动盘之间通过其贴合面处紧密嵌合的凹凸结构进行准确定位，增加了它们两者之间的接触面积，进而使得耐高温托盘和耐高温金属驱动盘能更加紧密地贴合在一起，使得耐高温金属驱动盘转动时，耐高温托盘随之转动，耐高温金属驱动盘停止转动时，耐高温托盘随之停止转动，从而实现耐高温托盘和耐高温金属驱动盘的无相位差转动。
[0005]所述耐高温托盘的底面上形成有平滑过渡的凹坑或凸起，或两种都有;所述耐高温金属驱动盘的顶面上形成有平滑过渡的凸起或凹坑，或两种都有;所述耐高温托盘和耐高温金属驱动盘通过相对应的凹坑和凸起嵌合在一起，以实现两者的紧密贴合。
[0006]所述凹坑的半径15 mm，有效深度3mm，距离中心距200mm ；所述凸起的半径15 mm，有效高度3mm，距离中心距200mm。
[0007]所述耐高温托盘为石墨盘或碳化硅盘。
[0008]所述耐高温金属驱动盘为金属钼盘或金属钨盘。
[0009]本实用新型与现有技术相比，具有如下优点与有益效果:
[0010]本实用新型结构的托盘和金属驱动盘通过紧密嵌合的凹凸结构能够紧密相随，可有效消除执行转动驱动命令时产生的托盘与金属驱动盘之间的相位差，以实现无相位差转动。采用本设计结构，能消除窜动，保证托盘转速的真实性，并可大大提升数据分析效率，这有利于对反应过程的精准控制。
【附图说明】
[0011 ]图1为本实用新型所述无相差转盘结构的俯视图。
[0012]图2为图1的A-A剖视图。
[0013]图3为图2的B局部放大图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。
[0015]如图1至图3所示，本实施例所述的MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，包括有上下叠置的耐高温托盘I和耐高温金属驱动盘2，该耐高温托盘I可以为石墨盘或碳化硅盘，且可选择镀层，如SiC、TaC等，该耐高温金属驱动盘2可以为金属钼盘或金属钨盘;所述耐高温托盘I的底面与耐高温金属驱动盘2的顶面贴合，且它们之间通过其贴合面处紧密嵌合的凹凸结构进行准确定位，增加了它们两者之间的接触面积，进而使得耐高温托盘I和耐高温金属驱动盘2能更加紧密地贴合在一起，使得耐高温金属驱动盘2转动时，耐高温托盘I随之转动，耐高温金属驱动盘2停止转动时，耐高温托盘I随之停止转动，从而实现耐高温托盘I和耐高温金属驱动盘2的无相位差转动。其中，所述耐高温托盘I的底面上形成有平滑过渡的凹坑或凸起，或两种都有，而在本实施例中具体是形成有平滑过渡的凹坑;所述耐高温金属驱动盘2的顶面上形成有平滑过渡的凸起或凹坑，或两种都有，而在本实施例中具体是形成有平滑过渡的凸起;所述凹坑的半径15mm，有效深度3mm，距离中心距200mm;所述凸起的半径15mm，有效高度3mm，距离中心距200mm;所述耐高温托盘I和耐高温金属驱动盘2通过相对应的凹坑和凸起嵌合在一起，以实现两者之间的紧密贴合。
[0016]在采用以上方案后，本实用新型结构的托盘和金属驱动盘通过紧密嵌合的凹凸结构能够紧密相随，可有效消除执行转动驱动命令时产生的托盘与金属驱动盘之间的相位差，以实现无相位差转动。总之，采用本设计结构，能消除窜动，保证托盘转速的真实性，并可大大提升数据分析效率，这有利于对反应过程的精准控制，值得推广。
[0017]以上所述之实施例子只为本实用新型之较佳实施例，并非以此限制本实用新型的实施范围，故凡依本实用新型之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，包括有上下叠置的耐高温托盘和耐高温金属驱动盘，该耐高温托盘的底面与耐高温金属驱动盘的顶面贴合;其特征在于:所述耐高温托盘和耐高温金属驱动盘之间通过其贴合面处紧密嵌合的凹凸结构进行准确定位，增加了它们两者之间的接触面积，进而使得耐高温托盘和耐高温金属驱动盘能更加紧密地贴合在一起，使得耐高温金属驱动盘转动时，耐高温托盘随之转动，耐高温金属驱动盘停止转动时，耐高温托盘随之停止转动，从而实现耐高温托盘和耐高温金属驱动盘的无相位差转动。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，其特征在于:所述耐高温托盘的底面上形成有平滑过渡的凹坑或凸起，或两种都有;所述耐高温金属驱动盘的顶面上形成有平滑过渡的凸起或凹坑，或两种都有;所述耐高温托盘和耐高温金属驱动盘通过相对应的凹坑和凸起嵌合在一起，以实现两者的紧密贴合。3.根据权利要求2所述的一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，其特征在于:所述凹坑的半径15mm，有效深度3mm，距离中心距200mm ；所述凸起的半径15mm，有效高度3mm，距离中心距200mm。4.根据权利要求1或2所述的一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，其特征在于:所述耐高温托盘为石墨盘或碳化硅盘。5.根据权利要求1或2所述的一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，其特征在于:所述耐高温金属驱动盘为金属钼盘或金属钨盘。
【专利摘要】本实用新型公开了一种MOCVD反应腔室用的无相差转盘结构，包括有上下叠置的耐高温托盘和耐高温金属驱动盘，该耐高温托盘的底面与耐高温金属驱动盘的顶面贴合；所述耐高温托盘和耐高温金属驱动盘之间通过其贴合面处紧密嵌合的凹凸结构进行准确定位，增加了它们两者之间的接触面积，进而使得耐高温托盘和耐高温金属驱动盘能更加紧密地贴合在一起，使得耐高温金属驱动盘转动时，耐高温托盘随之转动，耐高温金属驱动盘停止转动时，耐高温托盘随之停止转动，从而实现耐高温托盘和耐高温金属驱动盘的无相位差转动，这有利于对反应过程的精准控制。
【IPC分类】C23C16/458
【公开号】CN205295456
【申请号】
【发明人】张杨, 方聪, 杨翠柏, 张露, 刘向平, 靳恺, 王雷
【申请人】中山德华芯片技术有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年11月19日