技术编号：10229978
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一次性可编程类型的存储器单元通常包括例如M0S类型的电容器，在其两个电极之间具有电介质层并且作为抗熔丝而工作，其状态以不可逆方式修改，例如通过施加高的编程电压至存储器单元而击穿电介质层，以如此方式使得存储器单元从非导通状态转变为导通状态，这相当于改变其电阻。在先进CMOS技术中，通过外延形成晶体管的抬升源极和漏极区域，晶体管例如平面CMOS晶体管、FinFET晶体管或者制造在绝缘体上衬底上的晶体管，衬底例如FDS0I ( “完全耗尽绝缘体上娃”)类型的衬底...
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