技术编号:10464088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 现有技术中,形成半导体器件时,需要在晶圆表面经过多个工艺步骤。若是其中任 何一个工艺步骤的调整控制不当,则会使得形成的半导体器件出现质量问题,导致晶圆的 报废。因此,在实际的生产线中,每当一个工艺步骤的各参数调整完成,会采用此工艺步骤 对挡控娃片(Con化ol/Dummy wafer)进行测试,经检测分析证实此工艺步骤能正确地形成 半导体器件。 随着半导体制程技术不断向深微米尺寸发展,整个制程生产线不断向更高精密度 发展。为保证在不断缩小的特征尺寸的集成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。