技术编号：10471858
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。某些III族和V族元素构成的二元或者三元化合物(甚至多元化合物)具有自发极化和压电极化效应，当它们结合在一起构成异质结时(如AlGaN/GaN)，会在异质结的界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，以异质结界面处的2DEG为导电机构的器件称为异质结场效应管(HFET)，也可以称为高电子迀移率晶体管(HEMT)。HFET器件具有高电子迀移率、器件工作频率高以及高效率的特点。在微波功率发射极传输以及电力电子领域具有非常重要的应用前景。但是，迄今为止，HFET...
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