技术编号:10490770
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。迄今,用在功率电子应用中的晶体管通常使用硅(Si)半导体材料制造。用于功率应用的通常晶体管器件包括硅CooIMOS、硅功率MOSFET和硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)。更近来,已考虑碳化硅(SiC)功率器件。II1-N族半导体器件(诸如氮化镓(GaN)器件)现在作为用于承载大电流、支持高电压以及用于提供非常低的导通电阻和快速切换次数的引入注目的备选而斩露头角。发明内容在实施例中,半导体器件包括具有浮置栅极的高电子迀移率晶体管(HEMT)。浮置栅极包括两个或...
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