技术编号:10513847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。伴随着集成电路的缩小化,金属氧化物半导体元件变得越来越小。而金属氧化物半导体元件的接合深度也因此缩小。而缩小使形成工艺产生技术困难。例如,为了减少在源极与漏极区的薄膜电阻(sheet resistance),小的金属氧化物半导体元件在源极与漏极区中需要高掺杂浓度。此造成掺杂分布(doping profile)更为陆峭。图1显示一MOS元件形成的一中间工艺的剖面图。于半导体基底2上形成栅极介电层4与栅极电极6。借由垂直注入一掺杂物于,源极/漏极延伸(sour...
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