技术编号:10513853
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。近年来,使用带隙大于Si的带隙的II1-V族化合物的半导体器件正备受瞩目。其中,正在开发作为使用氮化镓的功率MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管)并且可执行常关操作的半导体器件。例如,日本未经审查的专利申请公开N0.2011-82415公开了一种基于III族氮化物的场效应晶体管,该场效应晶体管包括形成在凹陷区域上方的氮化物半导体膜、形成在凹陷区域的内壁表面等上的绝缘膜和形成在绝缘膜上方的栅电极。另外,日本未经审查的专利申请公开N0.2008-1533...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。