技术编号:10514112
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。GaAS衬底上制备的AIGaInP基LED在黄绿、黄色、橙色和红色波段性能优越,在RGB三基色全彩显示屏、交通信号灯、城市亮化工程、汽车电子特别是照明生态农业领域具有广阔的应用前景。AlGaInP基LED芯片以高功率、高亮度、高集成度小尺寸产品为发展重点,这对芯片的光萃取效率要求越来越高。由于AlGaInP与GaAs衬底形成良好的晶格匹配,其内量子效率几乎接近100%,但是其出光效率很低,究其原因主要包括以下几个因素l)GaAs衬底强烈的吸收,虽然布拉格导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。