一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法技术资料下载

技术编号:10514112

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GaAS衬底上制备的AIGaInP基LED在黄绿、黄色、橙色和红色波段性能优越,在RGB三基色全彩显示屏、交通信号灯、城市亮化工程、汽车电子特别是照明生态农业领域具有广阔的应用前景。AlGaInP基LED芯片以高功率、高亮度、高集成度小尺寸产品为发展重点,这对芯片的光萃取效率要求越来越高。由于AlGaInP与GaAs衬底形成良好的晶格匹配,其内量子效率几乎接近100%,但是其出光效率很低,究其原因主要包括以下几个因素l)GaAs衬底强烈的吸收,虽然布拉格导...
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