技术编号:10517958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。可以通过开发例如高质量的元素硅(Si)衬底上的m-v半导体或Si衬底上的IV半导体来实现各种电子和光电子器件。能够实现m-v或IV材料的性能优点的表面层可以承载各种高性能的电子器件,例如由诸如但不限于锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)、锗(Ge)、和硅锗(SiGe)之类的极高迀移率的材料制作的CMOS和量子阱(QW)晶体管。诸如激光器、检测器和光伏电池之类的光学器件以及电子器件还可以由诸如但不限于砷化镓(GaAs)和铟镓砷(InGaAs)的各种其它直接...
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