技术编号：10571445
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在日本专利号4，646，284(专利文献I)中已经说明了在与形成有沟槽型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体芯片的同一表面上设置用于源极的凸块电极、用于漏极的凸块电极以及用于栅极的凸块电极的技术，如专利文献I的图1所示。日本专利号4，646，284发明内容例如，作为用于控制二次电池的半导体产品，已知一种半导体产品，配备有半导体芯片，该半导体芯片形成有第一功率晶体管以及与第一功率晶体管反向串联耦接的第二功率晶体管。也就是，已知存在一种半导...
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