技术编号:10573963
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 磁阻随机存取存储器(MRAM)为具有与易失性存储器相当的响应(读取/写入)时间 的非易失性存储器技术。与将数据存储为电荷或电流的常规RAM技术相对比,MRAM使用磁性 元件。如图1A及1B所说明,磁性隧道结(MTJ)存储元件100可由两个磁性层110及130形成,所 述两个磁性层中的每一者可保持磁矩,所述两个磁性层是由绝缘(隧道屏障)层120分离。两 个层中的一者(例如,固定层110)被设置为特定极性。另一层(例如,自由层130)的极性132 能够自由地...
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