技术编号:10577693
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 III族氮化物半导体发光器件包括发光层,该发光层通过电子与空穴的复合来发 射光;n型半导体层;W及P型半导体层。当制造III族氮化物半导体发光器件时,在衬底上外 延生长半导体层。在运种情况下,由于衬底与半导体层之间的晶格失配,在半导体层中会出 现穿透位错。在穿透位错中,发生电子与空穴的非发光复合。非发光复合是指电子与空穴的 不产生光而产生热的复合。因此,存在于穿透位错附近的电子可W引起在穿透位错处的非 发光复合。非发光复合发生得越频繁,半导体发光器件产生...
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