技术编号：10595546
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对于静态随机存取存储(Static Random Access Memory，SRAM)装置而言，在位线 (bit lines)上的漏电流影响了功率消耗，且更影响了读取操作时的读取范围。为了能减少在SRAM装置中位线上的漏电流，耦接每一位线的存储单元数量受限于所使用的制造程序。 举例来说，65nm以及55nm工艺则要求在每一位线親接512个存储单元，且4〇111]1以及28111]1工艺则要求在每一位线親接256个存储单元。对于28nm工艺而言，将较少数量...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。