技术编号：10614530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前，在DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储结构)器件的集成制造工艺中，为了提升器件的性能往往需要在单位面积上制作更大的电容及更加有效的控制器件的漏电流，例如可采用诸如沟槽式(Trench，TRC)和堆叠式(StackecUSTC)的立体结构来制备三维电容单元，以提升单位面积上电容容量；当前的DRAM结构单元(cell)中，MOS管还均是平铺在晶圆(raf er)表面，仅是在MOS管的源端(source)通过...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。