技术编号:10617482
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为非易失性存储器,已知有NAND型的闪存存储器等,作为可进一步细化的设备, 已知有相变型存储器元件。相变型存储器元件是一种利用结晶状态和非晶状态下电阻值的差异的存储器元件,作为存储的维持并不需要电力供给的非易失性存储器而受到注目。相变型存储器元件具有第1电极、第2电极和配置在第1电极与第2电极之间的相变存储层。相变存储层由在具有相互不同的电阻值的结晶相与非晶相之间可逆地相变的材料构成。例如,在专利文献1中记载了一种相变存储元件的制造方法,该相变存储元件的...
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