技术编号:10658448
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘棚.双极型晶体管)是功率器件的一种,在追求节能社会的建设的今天,其重要性日益增加。特别是由于横向IGBT能够组装至IJIC,所以能够期待针对多方面的应用。作为提高IGBT的击穿电压的技术,例如已知有下述的内容。即在专利文献I中记载有通过在η+发射极区域和p+集电极区域之间的晶圆表面形成沟槽,并用沟槽埋入绝缘膜填充其中,来使承载击穿电压的漂移区域弯曲,延长有效的漂移长度。专利文献...
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