一种制备单层MoS<sub>2</sub>的新方法技术资料下载

技术编号:10677006

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m〇s2作为一种类石墨烯的材料,具有石墨烯的一些特点。单层的m〇s2厚度约为 0.65nm并具是直接带隙半导体材料,带隙约为l.SeVJoS〗具有电学、光学和催化剂性质等 特点,可以作为石墨烯材料的一个补充,如光电子学和能量储存。由于单层M 〇S2是原子层 厚度的半导体材料,因此对外界环境的敏感性很强。通过研究单层M〇S 2的物理性质,对下一 代电子器件,光学器件,生物传感器的发展有很重要的意义。 单层M〇S2是直接带隙的半导体材料,但是现如今的制备手段...
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