技术编号：10697335
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在光刻技术中，例如实施W下工序在基板上形成由抗蚀剂材料形成的抗蚀剂膜， 隔着形成了规定图案的掩模，用光、电子束等放射线对该抗蚀剂膜进行选择性的曝光，实施 显影处理，由此，在上述抗蚀剂膜上形成规定形状的抗蚀剂图案。 将曝光的部分转变成溶解于显影液的特性的抗蚀剂材料称为正型，将曝光的部分 转变成不溶于显影液的特性的抗蚀剂材料称为负型。 近年来，在半导体元件、液晶显示元件的制造中，由于光刻（lithography)技术的 进步，图案的微细化发展迅速。 作为微细...
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