技术编号：10727685
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通常在集成电路的制造期间实施高纵横比蚀刻以形成具有高纵横比的开口。发现，高纵横比蚀刻可以应用于提高集成电路组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器、 电感器等)的密度。例如，可以使用高纵横比蚀刻以形成沟槽电容器、沟槽存储器单元、沟槽隔离件、沟槽晶体管或利用三维结构概念的其他集成电路组件。此外，高纵横比蚀刻可以应用于形成硅柱、微机电结构(MEMS)器件或其他半导体结构。发明内容根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体结构，包括半导体衬底，限定开口， 其中，...
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