技术编号:11054406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体外延工艺的技术领域,更具体地,涉及一种选择区域外延生长界面改善结构。背景技术选择区域生长(SAG)技术在半导体外延生长和器件制造领域都有着广泛的应用。在半导体外延生长方面,可利用SAG技术实现侧向外延,降低贯穿至材料表面的位错密度而控制晶体质量。在半导体器件制造方面,SAG技术可用于平面工艺中特殊结构的制备,比如HBT的基极或发射极、AlGaN/GaNHFET中的n型高掺欧姆接触区和p-n结型HFET中的p-GaN层等等。2011年,YuhuaWen等人还提出了一种基于选择区...
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