技术编号:11057126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用包括说明书、说明书附图和说明书摘要、于2012年8月24日提交的第2012-185332号日本专利申请的公开内容通过完全引用而并入于此。技术领域本发明涉及一种半导体器件,并且更具体地,涉及一种可以适当地应用于例如在布线层中具有有源元件的半导体器件的技术。背景技术已经知道用于在半导体器件的布线层中提供有源元件的技术。这样的半导体器件可以通过使用有源元件来切换它的功能而未改变在半导体衬底处形成的半导体元件的布局。因此,该技术可以使用在衬底之上具有半导体元件的相...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。