技术编号：11179213
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体装置与其形成方法。背景技术随着半导体技术进展，对更高储存容量、更快处理系统、更高效能、与更低成本的需求也随之增加。为达上述需求，半导体产业持续缩小半导体装置的尺寸。半导体装置可为金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)如平面的MOSFET与FinFET。尺寸缩小会增加半导体工艺的复杂度。发明内容本公开一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成多个鳍状物于基板上；沉积栅极层于鳍状物上，且栅极层具有第一材料；沉积牺牲层于栅极层上，牺牲层具有第二材料，且第二材料不同于第一材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。