技术编号：11252605
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭露系有关于一种半导体装置的形成方法，且特别有关于一种低缺陷半导体装置的形成方法。背景技术半导体元件被应用在多种电子应用上，例如个人电脑、手机、数位相机，及其他电子设备。半导体元件通常依序沉积绝缘层或介电层，导电层，以及半导体材料层在半导体基板上，再以微影工艺将各材料层图案化以于基板上形成电路元件及单元。改善半导体结构效能的重要驱动力之一为电路的高端整合，此可藉由于给定的晶片上微型化或缩小元件尺寸来达成。举例来说，鳍式场效电晶体(FinFET)结构及纳米线场效电晶体(nanowireFET)结...
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