技术编号：11252790
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请案涉及用于紫外光发射装置的封装。背景技术III族氮化物材料(包含(Al、Ga、In)—N及其合金)的带隙从InN的极窄间隙(0.7eV)扩展到AlN的极宽间隙(6.2eV)，使得III族氮化物材料高度适于遍及从近红外光扩展到深紫外光的宽光谱范围的光电应用，例如发光二极管(LED)、激光二极管、光调制器及检测器。在作用层中使用InGaN可获得可见光LED及激光，而紫外光(UV)LED及激光则需要较大带隙的AlGaN。期望具有介于230nm到350nm范围内的发射波长的UVLED找到宽范围的应...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。