技术编号：11252811
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法，具体指一种基于铁电极化材料的剩余极化电场调控二维半导体能带结构及制备方法。背景技术层状结构的二维半导体，如石墨烯、过渡金属硫化物等，由于独特的物理结构和光电性能，使它们在纳米电子学及纳米光子学等领域具备巨大的潜能。其中，二维半导体的能带结构丰富多样，波长范围可覆盖全波段[NaturePhotonics8,899(2014)]，使其在应用时具备非常多的选择性。然而，就单一二维半导体材料来说，其能带结构仍具备一定的局限性，如石墨烯的零带隙特点，...
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