技术编号：11262734
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶片封装及其制备方法，包含具有倾斜贯穿硅通道的至少一集成电路晶粒。背景技术晶片堆叠技术可使两个晶片紧密在一起，因而使得该两晶片之间的数据传输更快速并且消耗较少电力。将存储器晶片堆叠在一起，可以得到具有大储存容量的存储器模块。除了堆叠两个相同晶片之外，亦可将具有不同功能的两个晶片堆叠在一起而实现不同的功能。在存储器晶片堆叠中，各个存储器晶片具有晶片选择(chipselection，CS)终端，其用于启动该存储器晶片。例如，DRAM晶片可具有列位址选通(rowaddressstrobe...
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