技术编号:11262749
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。存储装置相关申请本申请享有以美国临时专利申请62/304,601号(申请日:2016年3月7日)及美国专利申请15/265,067号(申请日:2016年9月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域本发明的实施方式涉及一种存储装置。背景技术近几年来,提出一种利用具有2个电阻状态的材料的存储装置。在此种存储装置中作为使存储单元集成的构造,提出一种在字线与位线的交点配置存储单元的三维交叉点构造。三维交叉点构造的存储装置有利于高集成化,但在动作的稳定性上成为...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。