技术编号:11262790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件背景技术与传统的硅MOSFET相比,SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)在高温下表现出较低的导通状态电阻、较低的开关损耗和较低的漏电流。SiCMOSFET的栅极电介质可以通过热氧化SiC基底而获得氧化硅SiO2层来经济地形成,其中碳残余可能导致在SiO2/SiC界面处的界面态的密度比典型的Si/SiO2界面高多于两个数量级。也可能在SiC与沉积的氧化硅之间的界面处产生的界面态可能不利地影响SiC-MOSFET的性能。期望提供具有经济地...
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