技术编号:11263317
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域,特别是涉及一种新型直流母排。背景技术近年来,碳化硅功率半导体器件因其具有临界击穿场强更高、热传导性更好、低通态电阻、高开关频率等良好的材料特性而逐渐被人们所关注,相比于硅绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT),器件,碳化硅功率半导体器件的开关时间更小,开关损耗更低,可以实现较高的开关频率,因此常常用于高频高功率密度变换器中来减小其输出滤波器的体积,从而降低整个电力电子设备的尺寸、重量和体积。在高频变换器应用中,常用...
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