技术编号:11275249
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于无机材料制备技术领域,特别涉及一种铜铟镓硒材料的制备方法。背景技术太阳能是一种重要的清洁能源,对太阳能的有效利用是解决人类能源问题的重要出路。人类利用太阳能的主要形式就是太阳能电池。铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,简称CIGS)薄膜太阳能电池因其优良的综合性能已成为最具产业化前景的太阳能电池之一。在CIGS薄膜太阳能电池的制造过程中,CIGS光吸收层的制备是一个核心工艺环节。目前,制备CIGS光吸收层的主要工艺有蒸发法、磁控溅射硒化法、蒸发溅射杂化法等。这些方法在薄膜制备过程中会...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。