技术编号:11275415
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米半导体材料领域,更具体地,涉及一种二维纳米Ga2In4S9晶体材料的制备方法及产品。背景技术石墨烯的发现极大地推动了二维材料的研究,仅几个原子厚度的材料,就能有非常不同的基本特性(Science2004,306,666-669)。很多科研工作者随即开发出该物质的许多应用特性,从制作可弯曲屏幕到能源储存。然而不幸的是,石墨烯带隙为零,用石墨烯做成的晶体管无法关断,这在一定程度上限制了它在光电子器件以及数字电子器件中的应用(NaturePhotonics2013,7,888-891),...
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