技术编号:11276724
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法技术领域本发明涉及一种三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法。背景技术目前,CMOS集成电路的快速发展大大促进了硅基微电子工业的发展,有将近95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路(IC)是用硅材料制作的。然而随着集成电路集成度的不断提高,MOS器件的特征尺寸的不断缩小,传统以二氧化硅或氮化硅作为栅极绝缘体的缺陷逐步凸显出来,尤其是当栅介质层的厚度小于2nm时,这样的硅基栅极绝缘体会发生漏电和杂质扩散现象。因此,有必要寻求一种新的栅介质层来替代二氧化硅。最直...
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