技术编号:11279201
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种坩埚,具体涉及一种稀土钨合金坩埚及其制造方法。背景技术钨坩埚具有优异的耐高温性能和导电性能高,热膨胀系数低,广泛应用于LED晶片的生产。现有技术中的钨坩埚一般是纯钨制作而成,纯钨在高温状态下容易氧化而生成氧化物,在晶界上富集而降低晶界强度,降低耐高温性能,抗蠕变强度及抗拉强度,导致韧性差,降低了钨坩埚的使用寿命。因此,为了避免现有技术中存在的缺点,有必要对现有技术做出改进。发明内容本发明的目的在于克服现有技术中的缺点与不足,提供一种耐用性能高、使用成本低的稀土钨合金坩埚。本发明的另...
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