技术编号:11289406
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多层瓷介电容器技术领域,尤其涉及一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺。背景技术多层瓷介电容器具有比容大、体积小、等效串联电阻小、无极性、电感低、抗湿性好、频率特性好、损耗低、可靠性高、电容量稳定性好、综合性能优异的特点,被广泛应用于通讯、计算机、航天、航空、电子、兵器等领域。当使用在射频微波或以上频段时,往往需要更低等效串联电阻的产品,以保证在高频条件较低的能量损失。发明内容本发明的目的在于提供一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺,该倒角工艺能提高倒角效率,降低...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。