本发明涉及多层瓷介电容器技术领域，尤其涉及一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺。
背景技术：
多层瓷介电容器具有比容大、体积小、等效串联电阻小、无极性、电感低、抗湿性好、频率特性好、损耗低、可靠性高、电容量稳定性好、综合性能优异的特点，被广泛应用于通讯、计算机、航天、航空、电子、兵器等领域。当使用在射频微波或以上频段时，往往需要更低等效串联电阻的产品，以保证在高频条件较低的能量损失。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺，该倒角工艺能提高倒角效率，降低电容器的边角缺裂，保证电容器内电极的外露效果，降低内电极与外电极的接触电阻，降低电容器的等效串联电阻。
本发明的目的及解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的：一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺，包括以下步骤：通过以下磨介：石英砂、碳化硅粉、氧化铝球、去离子水，和电容陶瓷体按配比和转速/时间的规定倒角，其特征在于，所述配比为石英砂：碳化硅粉：氧化铝球：去离子水：电容陶瓷体=（360±30）g:（800±40）g:（500±30）g:（500±50）g:（1000±300）g；所述转速/时间的规定为：第一步：20r/min/10min；第二步：60r/min/60min；第三步：150r/min/210min。
上述的一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺，其中：对磨介石英砂、碳化硅粉、氧化铝球、去离子水和电容陶瓷体的尺寸进行要求如下：石英砂120目，碳化硅粉800目，氧化铝球直径3mm，电容陶瓷体1608～5764mm，去离子水无要求。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明具有以下特点：
1、对磨介石英砂、碳化硅粉、氧化铝球、去离子水和电容陶瓷体的尺寸进行要求，使磨介更为均匀致密。
2、按配比混合，磨介的填充更为紧密和均匀，密度和粘滞阻力更为适中。
3、按不同的时间/转速分步倒角，能提高倒角效率，降低电容器的边角缺裂，保证电容器内电极的外露效果。
4、降低内电极与外电极的接触电阻，降低电容器的等效串联电阻，电容器可以使用在更高的频率范围。
具体实施方式
以下结合较佳实施例，对依据本发明提出的一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺，包括以下步骤：通过以下磨介：石英砂、碳化硅粉、氧化铝球、去离子水，和电容陶瓷体按配比和转速/时间的规定倒角，其特征在于，所述配比为石英砂：碳化硅粉：氧化铝球：去离子水：电容陶瓷体=（360±30）g:（800±40）g:（500±30）g:（500±50）g:（1000±300）g；所述转速/时间的规定为：第一步：20r/min/10min；第二步：60r/min/60min；第三步：150r/min/210min。
上述的一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺，其中：对磨介石英砂、碳化硅粉、氧化铝球、去离子水和电容陶瓷体的尺寸进行要求如下：石英砂120目，碳化硅粉800目，氧化铝球直径3mm，电容陶瓷体1608～5764mm，去离子水无要求。
上述的一种降低等效串联电阻的射频多层瓷介电容器倒角工艺表如下表：
下表通过与原倒角工艺进行实验数据对比，说明本发明可以使电容器的等效串联电阻降低30mω～100mω。
综上所述，本发明具有以下特点：
1、对磨介石英砂、碳化硅粉、氧化铝球、去离子水和电容陶瓷体的尺寸进行要求，使磨介更为均匀致密。
2、按配比混合，磨介的填充更为紧密和均匀，密度和粘滞阻力更为适中。
3、按不同的时间/转速分步倒角，能提高倒角效率，降低电容器的边角缺裂，保证电容器内电极的外露效果。
4、降低内电极与外电极的接触电阻，降低电容器的等效串联电阻，电容器可以使用在更高的频率范围。
5、本发明可以使电容器的等效串联电阻降低30mω～100mω。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，任何未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。