一种小型陶瓷厚膜射频电阻的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种电阻，一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质、第一、二、三、四金属导电膜及电阻膜，所述陶瓷介质的底面覆盖第四金属导电膜、表面覆盖第一、二金属导电膜及电阻膜，右侧面覆盖第三金属导电膜、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。本实用新型具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对厚膜射频电阻小型化的需求。该射频电阻最大输入功率为15W、带宽为8Ghz、最大损耗为-20db。
【专利说明】一种小型陶瓷厚膜射频电阻
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电阻，更具体地说，涉及一种小型陶瓷厚膜射频电阻。
【背景技术】
[0002]在射频电路、隔离器、微波耦合器和功分器/合成器中，射频电阻位于终端，用来吸收不需要的功率。近年来，随着通信行业的发展，高功率、高频率且小型化的射频电阻越来越成为市场的主流。目前，常用的射频电阻的制造工艺有两种。一种是薄膜工艺，即在介质基底上淀积有耗金属膜或采用半绝缘衬底上的半导体薄膜。另一种是厚膜工艺，将不同导电率金属组合印刷在介质基底上。而采用薄膜工艺制造的射频电阻具有工艺复杂且成本较高的缺点。
【发明内容】
[0003]为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型目的是提供一种小型陶瓷厚膜射频电阻。该射频电阻具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对于厚膜射频电阻小型化的需求。
[0004]为了实现上述发明目的，解决已有技术中所存在的问题，本实用新型采取的技术方案是:一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质、第一、二、三、四金属导电膜及电阻膜，所述陶瓷介质的底面覆盖第四金属导电膜、表面覆盖第一、二金属导电膜及电阻膜，右侧面覆盖第三金属导电膜、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。
[0005]所述电阻膜的两边分别与第一金属导电膜及第二金属导电膜相连。
[0006]所述第二金属导电膜、第三金属导电膜及第四金属导电膜依次相连。
[0007]所述陶瓷介质选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成。
[0008]所述陶瓷介质的尺寸为3.0X 1.5X0.635mm。
[0009]本实用新型有益效果是:一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质、第一、二、三、四金属导电膜及电阻膜，所述陶瓷介质的底面覆盖第四金属导电膜、表面覆盖第一、二金属导电膜及电阻膜，右侧面覆盖第三金属导电膜、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。与已有技术相比，本实用新型具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对厚膜射频电阻小型化的需求。该射频电阻最大输入功率为15W、带宽为8Ghz、最大损耗为-20db。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本实用新型一种小型陶瓷厚膜射频电阻的结构示意图
[0011]图中:1、陶瓷介质,2、第一金属导电膜,2a、第二金属导电膜,2b、第三金属导电膜，2c、第四金属导电膜,3、电阻膜。【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0013]如图1所示，一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质1、第一、二、三、四金属导电膜2、2a、2b、2c及电阻膜3，所述陶瓷介质I的底面覆盖第四金属导电膜2c )、表面覆盖第一、二金属导电膜2、2a及电阻膜3,右侧面覆盖第三金属导电膜2b、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。所述电阻膜3的两边分别与第一金属导电膜2及第二金属导电膜2a相连，所述第二金属导电膜2a、第三金属导电膜2b及第四金属导电膜2c依次相连，所述陶瓷介质I选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成，所述陶瓷介质I的尺寸为3.0X 1.5X0.635mm。当具有一定功率的射频信号从输入端第二金属导电膜2a输入时，在流经电阻膜3时会产生热能加以消耗，第四金属导电膜2c用于起到接地的作用。
[0014]本实用新型的优点在于:一种小型陶瓷厚膜射频电阻具有结构简单、尺寸小、频带宽、功率大等特点，主要应用于射频电子产品中，从而满足了人们对厚膜射频电阻小型化的需求。
【权利要求】
1.一种小型陶瓷厚膜射频电阻，包括具有长方形平板状的陶瓷介质(I)、第一、二、三、四金属导电膜(2、2a、2b、2c)及电阻膜(3)，其特征在于:所述陶瓷介质(I)的底面覆盖第四金属导电膜(2c)、表面覆盖第一、二金属导电膜(2、2a)及电阻膜(3)，右侧面覆盖第三金属导电膜(2b)、剩余左、前、后三个侧面是未覆盖金属导电膜的断路区。
2.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于:所述电阻膜(3)的两边分别与第一金属导电膜(2)及第二金属导电膜(2a)相连。
3.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于:所述第二金属导电膜(2a)、第三金属导电膜(2b )及第四金属导电膜(2c )依次相连。
4.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于:所述陶瓷介质(I)选自诱电率低的氮化铝陶瓷材料制成。
5.根据权利要求1所述一种小型陶瓷厚膜射频电阻，其特征在于:所述陶瓷介质(I)的尺寸为 3.0X 1.5X0.635mm。
【文档编号】H01C13/00GK203733545SQ201420105133
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年3月6日 优先权日:2014年3月6日
【发明者】于岩, 刘玉敏, 高攀英 申请人:Tdk大连电子有限公司