技术编号:11291637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电流模D触发器,尤其是涉及一种基于FinFET器件的电流模D触发器。背景技术随着晶体管尺寸的不断缩小,受短沟道效应和当前制造工艺的限制,普通的CMOS晶体管尺寸降低的空间极度缩小。当普通CMOS晶体管的尺寸缩小到20nm以下时,器件的漏电流会急剧加大,造成较大的电路漏功耗。并且,电路短沟道效应变得更加明显,器件变得相当不稳定,极大的限制了电路性能的提高。FinFET管(鳍式场效晶体管,FinField-EffectTransistor)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管为...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。