技术编号:11325545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域,具体的说是有关AlN为钝化层的高K/AlN/低In组分InGaAs的MOS电容,可用于硅基互补金属氧化物半导体器件的制作。背景技术在过去的四十多年中硅基互补金属氧化物半导体CMOS技术遵循摩尔定律,通过缩小特征尺寸和栅氧化层厚度来提高性能,取得了巨大的成功,但是晶体管的特征尺寸减小到22nm以后,硅基CMOS技术进一步缩小尺寸来提高性能面临着物理和技术的双重挑战,随着尺寸的减小,功耗问题已经成为半导体工业界要面对的主要技术问题。为了从CMOS器件上解决功耗问题,科研界和...
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