技术编号:11325565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体技术领域,具体涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。背景技术自从人类进入21世纪以来,能源问题日益突出。在节能减排呼声愈发高涨的今天,小到家用电器、电动汽车,大到工业生产、机车牵引中的电能变换问题显得尤为重要,电力电子领域的科研人员对电力管理系统的优化和改善便显得十分关键。功率器件是现代电力系统的核心。由于传统的硅基功率器件的性能已经十分接近硅材料极限,其性能很难有大幅度的提升。故而,一些宽禁带半导体材料例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)具有比硅材料更加吸引人的优异性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。