技术编号：11333475
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在IC等的半导体制造工序、液晶、热能头等电路基板的制造中使用，进而在其他的感光蚀刻加工的光刻(lithography)工序中使用的上层膜形成用组合物、以及使用了该上层膜形成用组合物的图案形成方法和电子器件的制造方法。背景技术在使用KrF准分子激光(248nm)用抗蚀剂以后，为了弥补由光吸收引起的灵敏度下降，而使用称为化学增宽度的图像形成方法作为抗蚀剂的图像形成方法。若列举正型的化学增宽度的图像形成方法为例进行说明，则为如下的图像形成方法：通过曝光使曝光部的产酸剂分解而生成酸，且在曝...
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