技术编号:11427934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高击穿强度的X7R电容器陶瓷材料及其制备方法。背景技术由于电子科技的不断发展,电子设备的大量运用,高压陶瓷电容器一直是广泛应用的电子设备之一,小到显示器中的倍压整流电路,大到激光、雷达以及电子显微镜的高压电源中,都能随处见到高压陶瓷电容器的身影,为了满足脉冲功率系统的小型化和高储能密度的需求,各国材料工作者正积极探索研究具有高介电常数εr、低介电损耗tanδ和高击穿强度的介质材料,目前常温下介电常数ε25℃>1000且宽温稳定性满足X7R(|ΔC/C|≤15%的温度范围为-55℃~...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。