技术编号:11434112
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制造领域,尤其涉及一种位线驱动电路及非易失性存储电路。背景技术NVM(NonVolatileMemory,非易失性存储电路)需要许多驱动电路来控制非易失性存储电路的工作,驱动电路用于控制字线(wordline,WL)、控制栅极(ControlGate,CG)、位线驱动(BitLine,BL)、源极线(SourceLine,SL)和选择栅极(Selectline,SL),以控制非易失性存储电路在各操作过程的偏置电压,包括编程操作、删除操作和读操作。图1示出在现有技术中BL驱动电路1...
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