技术编号：11436534
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化硅衬底的制造方法。背景技术近些年，随着电子设备、半导体装置的高集成化、高电力化，从半导体元件产生的热的散热技术正变得极为重要。因此，对于在电子设备或半导体装置中被用作绝缘部件的衬底等，寻求散热性优异的散热衬底。作为散热衬底的材料例如考虑金属或陶瓷等，但金属的耐氧化性、耐水性、耐腐蚀性不如陶瓷，特别是在超过50℃的条件下不可能不进行冷却来使用。另外，由于具有导电性，因此难以用作要求绝缘的高密度装配衬底等要求较高散热性的绝缘衬底。另一方面，与金属相比，陶瓷具有较高的耐氧化性、耐水性...
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